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對比 型號 廠商 描述 均價 ECAD 數據手冊 替代料
對比 HE-54 Crydom Inc
Heat Sink, Fin, Twisted Fin, Staggered, Aluminum
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Transphorm Inc
650V 35mΩ 氮化镓 (GaN) FET 属于常闭型器件。通过更低的栅极电荷、更快的切换速度和更小的反向恢复电荷,提供更高的效率,明显超越传统硅 (Si) 器件,具有显著优势。
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